半导体工程师
2024-01-06 09:13
发布日期
北京
01 工作原理SIMS 可以检测极低浓度的掺杂和杂质，还可以提供从几纳米到几十微米的元素深度剖面。当具有特定能量的离子与固体表面碰撞时，会发生表面原子分子或原子团的二次喷射，或称为离子溅射。溅射粒子通常是中性的，但也有称为二次离子的粒子，带有正电荷或负电荷。质量分析器用于接收并分析二次离子并获得二次离子的质谱。 SIMS 灵敏度很高，可达到ppm 或ppb 级别。
02 工作参数
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垂直分辨率：2-10nm
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离子源：Cs离子和O
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离子束光斑及能量：30um以上
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质量分辨率：4000
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杂质检出限：ppm至ppb级
03定量分析
Si系（P、B、C、H、O等）
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GaN基（Mg、Si、C、H、O等）
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基于SiC的部分元素定量分析
04 适用范围
1. 掺杂和杂质深度分析
2. 薄膜成分和杂质测量（金属、电介质、Si、III-V 和II-VI 材料）
3. 超薄膜浅注入及超高分辨率深度分析
4. Si中含有B、C、O、N元素的散装材料分析
5、芯片分析包括LED芯片、功率器件、SiC、氧化镓等半导体芯片，芯片结构、杂质元素的定性定量分析
05 注释
1、单位：是指根据样品的复杂程度和耗时情况而定的测试条件。
2、SIMS测试条件相对复杂。可以针对不同的基体材料测试不同的元素。具体估算将取决于您样品的具体结构和测试要求。
3.SIMS最小光斑：几十微米
4. 不建议对多孔结构进行SIMS 测量，因为孔会影响深度分辨率。
5. 传统的动态SIMS测试由于表面状况影响，在表面10-20 nm范围内并不准确，因此必须在测试稳定后读取数值。
从
米格研究所
，作者
米格编辑器
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